太陽(yáng)電池主要分為矽半導體與化合物半導體兩大類(lèi)，其中矽半導體的使用量最大，又可以分為單晶矽晶圓、多晶矽薄片、非晶矽薄膜三種，

 

 

＞單晶矽(Single crystal silicon)

使用單晶的矽晶圓制作，

由于單晶矽的固體原子排列得很整齊，因此導電性最好，吸收太陽(yáng)光能產(chǎn)生電子的能量轉換效率最高(可以達到13~15%)，唯一的缺點(diǎn)就是制作不易，價(jià)格較高。

 

＞多晶矽(Poly crystal silicon)

使用多晶矽制作，如圖14-9(b)所示，由于多晶矽只有局部區域的原子排列得很整齊，這些局部區域的大小約在數百奈米(nm)左右，而且不同的區域之間原子排列的方向不同，會(huì )形成“晶界(Grain boundary)”，造成導電性較差，吸收太陽(yáng)光能產(chǎn)生電子的能量轉換效率較低(可以達到11~13%)，但是制作容易，價(jià)格較低。

 

＞非晶矽(Amorphous silicon)

使用非晶矽制作，如圖14-9(c)所示，由于非晶矽原子都排列得很混亂，所以導電性最差，吸收太陽(yáng)光能產(chǎn)生電子的能量轉換效率很低(大約只有5~7%)，但是制作最容易，價(jià)格最低，目前廣泛地使用在太陽(yáng)能計算機、太陽(yáng)能電子錶等耗電量較小的電子產(chǎn)品上。