本文標題："光電領(lǐng)域研究表面輪廓測量?jì)x器-高解析度的光學(xué)成像顯微鏡"
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光電領(lǐng)域研究表面輪廓測量?jì)x器-高解析度的光學(xué)成像顯微鏡
近年來(lái)Ⅲ-Ⅴ族氮化物半導體家族以及有機
發(fā)光半導體材料在光電領(lǐng)域研究上扮演著(zhù)很重要的角色，
以偏光調變近場(chǎng)光學(xué)顯微鏡(PM-NSOM)為工具，利用其高解析度的光學(xué)成像能力以及結晶對不同偏振光的吸收差異，
研究無(wú)機半導體-(氮化銦鎵薄膜)與有機半導體(OLED)中電子傳輸層(Alq3)之結晶狀態(tài)與其發(fā)光特性。在氮化銦鎵薄膜上，
我們成功的量測出結晶化程度較差的V型缺陷為非輻射復合中心，而圍繞在V型缺陷環(huán)之銦含量比較多的氮化銦鎵簇則為輻射復合中心，
其結晶化程度也較佳。在OLED上，我們成功的量測出低溫制程(-150℃)Alq3薄膜的結晶情形，
而利用此低溫Alq3做成的OLED元件，其發(fā)光效率也較傳統元件來(lái)的高
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