本文標題："掃描電容顯微鏡觀(guān)察摻雜元素影像的動(dòng)態(tài)觀(guān)察"
發(fā)布者：yiyi ------ 分類(lèi): 行業(yè)動(dòng)態(tài) ------
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掃描電容顯微鏡觀(guān)察摻雜元素影像的動(dòng)態(tài)觀(guān)察
掃描電容顯微鏡
半導體的元件運作及電性可以經(jīng)由不同的摻雜濃度及自由載子的分佈來(lái)控制，
被用來(lái)分析摻雜元素或載子的一維空間分佈及濃度變化。
以往，制程發(fā)展工程師可利用一維擴散模型，以模擬計算尋求最佳化的制程條件。
但隨著(zhù)半導體元件深次微米化的進(jìn)展，閘極通道變得越來(lái)越小，汲極與源極區域之摻雜元素的側向擴散效應，
將強烈影響閘極通道內摻雜元素的分佈與濃度變化，因此，如何取得多維空間的摻雜元素或載子濃度影像的動(dòng)態(tài)觀(guān)察與分析，
將是制程發(fā)展工程師建立準確深次微米制程模擬模型的重要關(guān)鍵
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