本文標題："透明導電TCO膜具有良好的導電性及透光性"
發(fā)布者：yiyi ------ 分類(lèi): 行業(yè)動(dòng)態(tài) ------
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透明導電氧化物(TCO)的薄膜被重視，因為它們已被用來(lái)作為透明電極，在各領(lǐng)
域，如太陽(yáng)能電池、平面顯示器和發(fā)光元件。氧化鋅（ZnO）是一種很有前途替代
氧化銦錫(ITO)的材料，氧化鋅薄膜為N型Ⅱ–Ⅵ族半導體具有寬能隙(室溫下約3.37ev)，
屬六方最密堆積纖鋅礦結構(hexagonal wurtzite structure)，
因具有良好的導電性及透光性，TCO薄膜材料的開(kāi)發(fā)、性質(zhì)與制程的改良、以及應用研究
等，一直都備受重視，特別是在光電領(lǐng)域方面。由于純ZnO薄膜導電性與熱穩定性
不佳，一般常摻入Al、Ga、In等雜質(zhì)來(lái)提升其導電性與改善其熱穩定，IZO(indium-
doped ZnO)薄膜在導電性提升上有很大的幫助。由于In3+離子比Zn2+離子多一價(jià)電
荷，當ZnO晶格中的Zn2+離子被一個(gè)In3+離子取代時(shí)，可多提供出一個(gè)自由載子，所
以IZO薄膜相較于ZnO薄膜，其自由載子濃度較高并且摻雜的In 原子在佔據晶格結
構中之格隙位置，同時(shí)會(huì )引起晶格結構扭曲，反而會(huì )造成電子的移動(dòng)率下降。當摻
雜其他金屬離子于ZnO中，隨著(zhù)摻雜的量增加，同樣會(huì )造成自由載子濃度提升，電
子移動(dòng)率下降的現象發(fā)生，所以摻雜量對于導電性的提升有很大的影響
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