將光罩放入曝光機內，將刻在石英片上的圖形放在曝光機中的“透鏡組”上方進(jìn)行“第二次縮小”到大約十分之一。由于使用電子束刻在石英片上的圖形線(xiàn)寬大約1μm(微米)，經(jīng)過(guò)曝光機縮小到十分之一變成大約0.1μm(微米)，如＜圖3-7(c)＞所示，將光罩放在曝光機中的透鏡組上方，最上方以紫外光雷射照射，紫外光經(jīng)過(guò)透鏡組將光罩上的圖形(線(xiàn)寬大約1μm)縮小到十分之一后投射到矽晶圓上(線(xiàn)寬大約0.1μm，目前為0.13μm)，稱(chēng)為“圖形轉移”，光罩上的圖形轉移到矽晶圓以后還要經(jīng)過(guò)高溫氧化、摻雜技術(shù)、蝕刻技術(shù)與薄膜成長(cháng)等化學(xué)或物理程序，才能完成晶片的制造工作，這個(gè)部分將會(huì )在后面詳細介紹。

 

積體電路的制作和蓋大樓最大的不同在于，積體電路是按照設計圖“縮小”，而蓋大樓是按照設計圖“放大”，這樣的縮小在生活中最常使用在照像的時(shí)候，照像機可以將幾百個(gè)人甚至摩天大樓縮小到一張小小的底片上，就是由于照像機的“鏡頭”具有“聚光”的功能，可以將很大的物體聚成很小的影像，再投射在底片上。上面所提到的“透鏡組”就好像是“照像機的鏡頭”一樣，而“光罩”就好像是“照像機所拍攝的景物”一樣。

 

蓋大樓的第二步要將畫(huà)好的建筑設計圖(藍圖)，交給營(yíng)造廠(chǎng)讓土木工程師在地面上施工，而積體電路制作的第二步要將IC設計圖刻成光罩，再將光罩交給晶圖代工廠(chǎng)讓制程工程師在矽晶圓上施工。