本文標題："電子顯微鏡觀(guān)察晶粒內部產(chǎn)生輪廓清晰的亞晶結構"
發(fā)布者：yiyi ------ 分類(lèi): 行業(yè)動(dòng)態(tài) ------
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電子顯微鏡觀(guān)察晶粒內部產(chǎn)生輪廓清晰的亞晶結構
再結晶晶核起源
顯微檢測表明再結晶成核的有利位置在晶界、相
界、孿晶、變形帶和材料的表面。這些位置常為嚴
重扭曲或高密度位錯的區域，而且同樣也確實(shí)是位向顯著(zhù)變化的鄰
近位置。
晶核實(shí)際上是多邊化形成
的一些亞晶粒。 他以此解釋這個(gè)事實(shí)： 在最嚴重變形的區域產(chǎn)生晶
核，但是，相對來(lái)說(shuō)，其本身并無(wú)畸變，即它們具有低的位錯密度。
用這個(gè)典型模式提出了一個(gè)定量的理論。
電子顯微鏡的詳細觀(guān)察已經(jīng)確認，亞晶粒的形成與接著(zhù)用蕞結晶代替
變形的晶粒是密切相關(guān)的。
薄膜透射電鏡的出現使人們能夠詳細地研究再結晶前和再結晶過(guò)
程中的位錯重排及亞晶界，從而證實(shí)和發(fā)展了再結晶晶核起源的早期
理論。
多晶體的銅、銀、鎳薄片經(jīng)嚴
重變形后的再結晶、其晶粒內部產(chǎn)生輪廓清晰的亞晶結構，亞晶粒的
晶界由復雜的位錯陣列組成。典型情況下，經(jīng)軋制壓縮90％后，穿越
晶胞壁的位向差大約是10°。 在電子顯微鏡的標盤(pán)上，再結晶是很不
均勻的。然而，大量的觀(guān)察表朋，該過(guò)程開(kāi)始于遷移所產(chǎn)生的晶界的凸
起部分，從而形成再結晶晶核，但是，為了長(cháng)大，在亞晶粒和其它鄰
近變形的材料之間必須有一個(gè)基本的位向差。由于晶粒邊界具有這樣
大的位向差，所以，只有晶界處更大的亞晶粒才能夠穿過(guò)晶界長(cháng)大到相
鄰的晶粒中去。與此類(lèi)似，如果不太明確的狀態(tài)產(chǎn)生在扭
折帶或其它類(lèi)型的變形帶上，那么在這些區域中形成的亞晶粒是后繼。
長(cháng)大的有利位向
最近對鋁，的磷究確認，亞晶粒為再結晶晶粒提供晶核。成為
晶核的那些亞晶粒與其鄰近晶界有最大的位向差。這一研究表明，顯
然發(fā)生晶胞壁聚集而沒(méi)肴晶胞壁的大范圍遷移。在像鋁這樣堆垛層錯
能高的金屬中，亞晶界的調整是更有可能的，而銅、銀中的情況則格
反，成核之前幾乎沒(méi)有位錯重排．
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