本文標題："鉬絲相接觸的試樣衍射圖譜光學(xué)分析儀器,材料檢測顯微鏡"

鉬絲相接觸的試樣衍射圖譜光學(xué)分析儀器,材料檢測顯微鏡

高真空下的試驗

  低能電子衍射研究是在另外的管子內進(jìn)行的，在所用的電子束
能量小于300電子伏的使用情況下，衍射圖譜對表面的情況是極
靈敏的，在兩種實(shí)驗中，裝置在與嵌入晶體后面空穴的鉬絲相接
觸的試樣都能夠用從屏蔽燈絲中出來(lái)的電子轟擊加熱，樣品也都
能夠以氬離子轟擊來(lái)清洗，氬氣允許通過(guò)一個(gè)大的吸氣管來(lái)消除
研磨，研究了幾個(gè)N型和P型的，電阻率在0.3-2歐姆-厘米范圍內
的商業(yè)級晶體。

  以已用于若干其他材料的離子轟擊清洗過(guò)程來(lái)清洗樣品，這個(gè)
過(guò)程包括：在1000℃高真空下加熱SiC晶體約100小時(shí)除去吸附的
氣體，樣品再經(jīng)幾次這樣的循環(huán)，即在約500電子太、100微安/
厘米的氬離子轟擊、加熱、使轟擊所損壞的表面退火，并且去除
轟擊時(shí)在表面或近表面捕集的氬。

  離子轟擊和1000℃加熱的清洗循環(huán)的結果如下：
  （a)在離子轟擊和加熱以后，表面是非化學(xué)計量的——可能有
著(zhù)過(guò)量的碳，在高真空下長(cháng)時(shí)間加熱可能由于游離碳或其他來(lái)自
體內的雜質(zhì)的擴散而得到表面情況惡化的結果。
  （b）若樣品吸附氧后在壓力為10毫米水銀柱數量級的氧氣中
或在真空中相繼加熱，碳很顯著(zhù)地從表面去除掉。
  在所得到的適宜條件下，N型樣品的功函數決定于所給與的正
確的熱處理在4.30電子伏和4.40電子伏之間，而一個(gè)P型樣品有
著(zhù)4.62電子伏的功函數，當清洗過(guò)樣品在室溫下暴露于氧氣中的
10毫米水銀柱數量級壓力下，可以觀(guān)察到功函數的增加和光電產(chǎn)
紡的減少，曾經(jīng)注意到功函數隨吸附作用而變化的兩種方式，在
某些面上看到迅速增加，功函數的表現平衡值大約高于清洗表面
0.40電子伏。
  兩種吸附方式之間的差別是這樣的，認為它們是和原子種類(lèi)的
非對稱(chēng)性相聯(lián)系的，這種非對稱(chēng)性可以存在于二元晶體的相反的
面上，這種見(jiàn)解由于觀(guān)察到在同一晶體相反的同上有兩種不同方
式所證實(shí)了，因此，若在某些面上，硅在外層為主要的，相反的
面則為碳，可以預料有著(zhù)兩種吸附方式，從已知硅的吸附性質(zhì)，
需要循環(huán)過(guò)程的面似乎會(huì )是那些有著(zhù)碳的外層的面，已經(jīng)觀(guān)察到
相反面上的腐蝕速率的差別，但是對于這種材料象對其他二元化
合物一樣，明確地鑒定其合適的原子種類(lèi)的努力尚末成功。
  隨著(zhù)氧吸附后，發(fā)現在真空中加熱，至低達500℃時(shí)能夠部分
的恢復清洗表面的情況，由此提示，由于揮發(fā)性氧化物的揮以產(chǎn)
生了一些去除作用。

后一篇文章：可調量具和某些測量轉換器也具有讀數裝置-讀數顯微鏡 »
前一篇文章：« 由于在1大氣壓下不論是碳或碳化硅都不熔融-材料顯微鏡

tags:材料學(xué),實(shí)驗,金相顯微鏡,上海精密儀器,

鉬絲相接觸的試樣衍射圖譜光學(xué)分析儀器,材料檢測顯微鏡,金相顯微鏡現貨供應

本頁(yè)地址：/gxnews/3092.html轉載注明
本站地址：/
http://www.xianweijing.org/