本文標題："電子顯微鏡分辨率高，但觀(guān)察的試樣范圍小"
發(fā)布者：yiyi ------ 分類(lèi): 行業(yè)動(dòng)態(tài) ------
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電子顯微鏡分辨率高，但觀(guān)察的試樣范圍小
形核過(guò)程
再結晶的形核是一個(gè)比較復雜的過(guò)程，這一過(guò)程可能從幾十
個(gè)或幾百個(gè)原子范圍的微觀(guān)尺度開(kāi)始發(fā)生，并常常局限于變形基
體的某些局部。從實(shí)驗角度來(lái)講，光學(xué)顯微鏡的分辨率不夠大，且
不便確定晶粒的取向；而電子顯微鏡分辨率高，但觀(guān)察的試樣
范圍又很小。因此，人們難于捕捉到再結晶形核過(guò)程的起始行為。
金屬再結晶形核的理論至今還很不完善，尚有不同的理論來(lái)描述
這一過(guò)程。
經(jīng)典形核理論
經(jīng)典形核理論認為，在變形結構中借助點(diǎn)陣結構的能量起伏
可以形成具有長(cháng)大能力的核。這電是所謂的均勻形核或自發(fā)形核
過(guò)程。在這一過(guò)程中，一方面由于低位錯密度結構的形成使自由
能降低；另一方面由于生成的新核與基體的界面又使自由能升高。
上述分析表明再結晶的形核過(guò)程不可能是經(jīng)典的自發(fā)形核過(guò)
程，但是經(jīng)典形核理論提供了一個(gè)臨界核尺寸的概念，即再結晶
核必須大于某一尺寸才能自發(fā)生長(cháng)。由于能量起伏實(shí)際不能造成
再結晶核，因此，人們不得不設想大于臨界尺寸的再結晶核已存
在于變形基體內。
晶界形核(應變誘發(fā)晶界移動(dòng))
解釋再結晶形核過(guò)程通常要說(shuō)明再結晶核與變形基體之間是
怎樣形成可動(dòng)性好的大角度晶界的。變形金屬通常是多晶體，因
此常常會(huì )有許多大角度晶界。由于各晶粒取向的差別，當冷變形
量很低時(shí)不同取向的晶粒所經(jīng)受的變形量可能不同，因而它們的
位錯密度會(huì )有所差別。一晶界兩側位錯密度的這種差別在一定條
件下會(huì )造成該晶界向高位錯密度一側移動(dòng)。當變形量較高時(shí)，則
大角度晶界兩側的位錯密度沒(méi)有本質(zhì)區別，因而不會(huì )出現上述驅
使晶界單向移動(dòng)的驅動(dòng)力。如果大角度晶界兩側的晶體由于取向
或其它因素的影響，在回復過(guò)程中進(jìn)行了不同的結構調整從而造
成了位錯密度上的差異，則驅使晶界單向移動(dòng)的驅動(dòng)力也會(huì )因此
而產(chǎn)生，進(jìn)而造成了再結晶核的形成。
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