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本文標題:"制備電子-納米封裝的納米結構電子顯微鏡"

發(fā)布者:yiyi ------ 分類(lèi): 行業(yè)動(dòng)態(tài) ------ 人瀏覽過(guò)-----時(shí)間:2016-8-26 2:5:31

制備電子-納米封裝的納米結構電子顯微鏡

 
納米封裝——納米技術(shù)與電子封裝建模在制造工藝方面的應用
    
制造工藝主要用于制備電子系統納米封裝的納米結
構,
 
納米級制造的三種技術(shù),分別說(shuō)明了自下而上(電
沉積)和自上而下(聚焦離子束和印制成形)的納米制備方法。聚
焦離子束工藝模擬
    聚焦離子束(Focused Ion Beam,FIB)是微米或納米尺度下
在一個(gè)指定區域中去除將材料或是將材料沉積在其表面的一種銑削
工藝。聚焦離子束的工作原理是采用高能鎵離子Ga十(或其他離子
)對目標表面進(jìn)行撞擊,使少量的材料以二次離子、自然原子和二
次電子的形式濺射出去,從而實(shí)現在目標表面去除材料。
    與其他傳統方法相比,聚焦離子束工藝極大地降低了對受離子
撞擊表面的傷害。聚焦離子束工藝需控制的一個(gè)關(guān)鍵變量是深度變
化值。該變量的正確控制對保證恰當地制造出三維納米裝置、微縮
物體、各種微系統的外殼和模具都至關(guān)重要。
    目前,研究人員已經(jīng)開(kāi)發(fā)出了一個(gè)數學(xué)模型,該模型可用來(lái)預
測刻蝕形狀或是計算達到預定形狀所需要的停頓時(shí)間。該模型假設
在目標表面存在一個(gè)正方形的像素矩陣。然后濺射模型被分布到該
像素矩陣的每一個(gè)元素上,并由此建立了一個(gè)將任意像素上濺射停
頓時(shí)間fd與濺射深度峨聯(lián)系起來(lái)的線(xiàn)性方程組。如下給出了該模型
的簡(jiǎn)單描述。
 

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