本文標題："近場(chǎng)光學(xué)顯微鏡材料礦石直徑3μm深為1.5μm觀(guān)察"
發(fā)布者：yiyi ------ 分類(lèi): 行業(yè)動(dòng)態(tài) ------
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近場(chǎng)光學(xué)顯微鏡材料礦石直徑3μm深為1.5μm觀(guān)察
利用掃描式近場(chǎng)光學(xué)顯微鏡對不同樣品做非破壞性檢測分析。我們用紫外光雷射或綠光雷射耦合入光纖，
使用掃描式近場(chǎng)光學(xué)顯微鏡觀(guān)察圖樣化藍寶石基板上成長(cháng)之氮化鎵薄膜的缺陷。
藍寶石基板分別為凹、凸直徑3μm深為1.5μm兩種圓形陣列圖樣，
其中GaN薄膜成長(cháng)于凹的藍寶石基板的過(guò)程中再隨機的植入直徑約1μm厚約100nm的SiO2圓形結構。
得到的影像可以發(fā)現SiO2結構上方會(huì )形成良好的GaN薄膜導致有將雷射完全吸收的現象，
并且藍寶石基板凹洞上方亦可以長(cháng)出良好的GaN薄膜；在有凸起狀的藍寶石基板上長(cháng)的GaN，其高低交界處有明顯的缺陷。
此外，我們用紅外光雷射耦合入光纖，并利用光偵測晶片(900 ~ 1700 nm)改裝成可架入系統中光偵測器，
進(jìn)而可以得到Ge薄膜在SiO2/Si晶片中的生長(cháng)分佈狀況。而矽基板是由電子束微影術(shù)與反應性離子蝕刻制作出直徑為200nm、
深20nm的圓洞，圓洞互相間隔距離分別為800nm、1000nm。Ge薄膜厚300nm，最后還附蓋上100nm的SiO2來(lái)保護Ge薄膜。
運用掃描式近場(chǎng)光學(xué)顯微鏡及自制光纖探針配合不同光源跟光偵測器開(kāi)發(fā)出可適用檢測不同能隙材料在不同種類(lèi)晶片中生長(cháng)情形之非破壞性近場(chǎng)量測
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