本文標題："IC封裝制程焊接點(diǎn)顯微結構檢測金相顯微鏡"
發(fā)布者：yiyi ------ 分類(lèi): 行業(yè)動(dòng)態(tài) ------
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電子構裝金線(xiàn)接點(diǎn)破壞機構及顯微組織分析
Au wire是許多傳統IC封裝制程中，用來(lái)連結chip與lead frame的橋樑。因應IC在使用過(guò)程中訊號電流的輸入輸出，
造成IC的局部過(guò)熱，因此對于高溫時(shí)效過(guò)程中，Au wire與Al pad接合微接點(diǎn)的可靠度研究是非常重要的。
不同的wire bond參數會(huì )造成高溫時(shí)效后，Au-Al微接點(diǎn)morphology的不同。
良好的wire bond條件應該是Au wire與Al pad的有效接合面積既平整且殘留的passive region愈少。
良好的wire bond條件會(huì )使Au wire與Al pad接合之微接點(diǎn)在高溫時(shí)效過(guò)程陸續產(chǎn)生數種介金屬化合物的消長(cháng)。
探討這些介金屬反應層的消長(cháng)機制將有助于了解微接點(diǎn)在時(shí)效過(guò)程的破壞機制。
此次研究將著(zhù)重于三種不同成份的Au wire與Al pad接合后，在高溫時(shí)效所產(chǎn)生的介金屬反應層成長(cháng)機制做逐步分析探討，這三種wire為pure Au wire、添加微量Pd元素的Au wire及添加微量Cu元素的Au wire。
另外研究過(guò)程中，因部份參數的不同，也會(huì )造成一些不同的Au-Al微接點(diǎn)morphology行為，如不同的封裝樹(shù)脂，或是在A(yíng)u wire中添加不同雜質(zhì)含量，或是改變Al pad厚度…等等。
為了改善金鋁微接點(diǎn)的可靠度，了解不同合金的物理及擴散成長(cháng)行為，將有助于對此次研究的探討，
以提昇產(chǎn)品在市場(chǎng)上的信賴(lài)。
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