本文標題:"晶片品質(zhì)檢測雙目立體顯微鏡廠(chǎng)商"
幾乎所有的產(chǎn)品都會(huì )有記憶體元件在晶片中。
如果 我們沒(méi)有記憶體相關(guān)的時(shí)序參數,將會(huì )很難對產(chǎn)品下定規格。傳統上會(huì )使用測試
機臺對記憶體的時(shí)序參數做量測。然而,一些測試機臺的周邊器材,像是探針以
及與晶片之間連接的傳輸線(xiàn)等等,都會(huì )造成一些額外的延遲時(shí)間,這會(huì )導致量測
結果的誤差。另外,針對系統晶片(system-on-chip),我們很難直接存取內部記憶
體的輸入輸出訊號。因此我們需要一個(gè)內嵌式解決方案。
我們提出一種能量測記憶體時(shí)序參數的架構。它能夠量測準備/保持時(shí)間 (setup/hold
Time) 以及存取時(shí)間(access time)。在準備/保持時(shí)間的量測,我們使用有效訊號
(valid signal)來(lái)使輸入訊號只會(huì )在有效窗口(valid window)中輸入正確的值。我們
可藉由調整有效窗口與時(shí)脈訊號之間的時(shí)序關(guān)系,來(lái)量測出準備/保持時(shí)間。在
存取時(shí)間量測的部分,我們使用一個(gè)時(shí)間至數位轉換器
(time-to-digital converter)。它能夠記錄最差情況的結果,因此我們能夠跑完完整的測試之后,
最后得到最壞情況的存取時(shí)間。我們也針對準備/保持時(shí)間以及存取時(shí)間的量測
提出校準方案(calibration scheme)。這份電路完全是以標準元件所組成,因此很
容易轉移到期它制程上。我們以TSMC 0.18um 制程來(lái)實(shí)現,實(shí)驗結果顯示準備
時(shí)間/保持時(shí)間的誤差在2.4% / 7.5%內,存取時(shí)間的誤差在4.4%以?xún)?。在使?
4096x64 的記憶體時(shí),僅有6.2%額外面積代價(jià)
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晶片品質(zhì)檢測雙目立體顯微鏡廠(chǎng)商,金相顯微鏡現貨供應
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